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Nueva aleación para una mejor memoria de Mram



La aleación podría ser la clave para cambiar la memoria de MRAM, lo que proporciona una solución a la creciente necesidad de capacidad y bajo consumo de energía.¿Quieres saber más?

Atrás quedaron los días en que todos nuestros datos podrían caber en un disquete de dos megabytes.Hoy, con la creciente cantidad de datos que administramos, necesitamos soluciones de memoria que ofrezcan un bajo consumo de energía y alta capacidad.La memoria de acceso aleatorio magnetoresistivo (MRAM) es parte de la próxima generación de dispositivos de almacenamiento diseñados para satisfacer estas necesidades.Investigadores del Instituto Avanzado de Investigación de Materiales (WPIAMR) han estudiado una película delgada de aleación de hierro cobalto-manganise-hierro que muestra una alta anisotropía magnética perpendicular (PMA), crucial para hacer dispositivos MRAM utilizando espintronics.

Esta es la primera vez que una aleación de hierro cobalto-manganise-hierro ha demostrado una gran PMA fuerte.Los investigadores habían descubierto previamente que esta aleación exhibía un efecto de magnetoresistencia de túnel alto (TMR), pero es poco común que una aleación muestre ambas propiedades.Por ejemplo, las aleaciones de borón de hierro-cobalto, típicamente utilizadas para MRAM, tienen ambos rasgos, pero su PMA no es lo suficientemente fuerte.

Los dispositivos MRAM almacenan datos utilizando elementos magnéticos en lugar de cargas eléctricas, ofreciendo beneficios de consumo de energía más bajos.Las aleaciones ideales para los dispositivos MRAM tienen altos TMR y PMA, lo que les permite almacenar muchos bits con alta capacidad y estabilidad térmica.

Para abordar los desafíos con las aleaciones actuales, los investigadores de la Universidad de Tohoku han explorado la PMA de las películas delgadas de aleación de hierro cobalt-manganeso, que previamente habían mostrado una alta TMR en su investigación.En particular, la aleación que desarrollaron demostró una alta PMA.También revelaron a través de las simulaciones que la PMA en sus películas multicapa era suficiente para proporcionar una gran capacidad de memoria para los dispositivos MRAM.

Esta investigación presenta un nuevo material prometedor para los dispositivos de memoria y contribuye al desarrollo de tecnologías de memoria innovadoras basadas en spintronics para crear un futuro más sostenible.