La nueva tecnología podría mejorar las pantallas y la electrónica, haciéndolas más baratas y más fáciles de hacer con temperaturas más bajas.
Un equipo de investigación del Departamento de Ingeniería Química de Postech (Universidad de Ciencia y Tecnología de Pohang) ha desarrollado una tecnología innovadora establecida para remodelar las pantallas de próxima generación y los dispositivos electrónicos.
Cuando transmitimos videos o jugamos juegos en nuestros teléfonos inteligentes, miles de transistores trabajan en silencio en segundo plano.Estos pequeños componentes regulan las corrientes eléctricas para mostrar imágenes y garantizar el rendimiento de la aplicación suave, como las señales de tráfico que controlan el flujo de tráfico.
Los transistores generalmente se clasifican como N-type (transporte de electrones) y de tipo P (transporte de agujeros), con dispositivos de tipo N que generalmente ofrecen un mejor rendimiento.Sin embargo, para la computación de alta velocidad con bajo uso de potencia, los transistores de tipo P deben coincidir con los dispositivos de tipo N de manera eficiente.
Para abordar esto, el equipo exploró un nuevo material semiconductor de tipo P con una estructura cristalina única: perovskitas a base de estaño.Este material ha mostrado una gran promesa para los transistores de tipo P de alto rendimiento.Tradicionalmente, se ha realizado utilizando un proceso de solución, similar al remojo de tinta en papel, que tiene una escalabilidad y consistencia limitadas.
En un avance significativo, un equipo de investigación aplicó con éxito la evaporación térmica, un proceso comúnmente utilizado en industrias como la televisión OLED y la fabricación de chips de semiconductores, para producir capas semiconductoras de césium-eoduro (CSSNI3) de alta calidad.Este método implica vaporizar materiales de alta temperatura para formar películas delgadas en sustratos.
Además, al incorporar una pequeña cantidad de cloruro de plomo (PBCL2), el equipo mejoró la uniformidad y la cristalinidad de las películas delgadas de perovskite.Los transistores resultantes mostraron un rendimiento excepcional, logrando una movilidad de agujeros de más de 30 cm²/v · S y una relación de corriente de encendido/apagado de 10⁸, comparable a los semiconductores de óxido de tipo N de tipo N disponibles comercialmente.Esto indica un procesamiento de señal rápido y un bajo consumo de energía durante el cambio.
Este avance mejora la estabilidad del dispositivo y permite la creación de matrices de dispositivos de gran área, superando dos limitaciones significativas de métodos previos basados en soluciones.De manera crucial, la tecnología es compatible con los equipos de fabricación existentes utilizados en la producción de pantalla OLED, ofreciendo un potencial considerable para la reducción de costos y los procesos de fabricación simplificados.
La tecnología abre posibilidades emocionantes para comercializar pantallas ultra delgadas, flexibles y de alta resolución en teléfonos inteligentes, televisores, circuitos integrados apilados verticalmente y dispositivos electrónicos portátiles, todo gracias a sus bajas temperaturas de procesamiento por debajo de 300 ° C.
