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MTA4ATF25664AZ-2G6B1

Mfr# MTA4ATF25664AZ-2G6B1
Mfr. Micron Technology
Descripción IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Más información Lea más sobre Micron Technology MTA4ATF25664AZ-2G6B1
Especificaciones MTA4ATF25664AZ-2G6B1.pdf

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Descripción

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Número de pieza MTA4ATF25664AZ-2G6B1
Fabricante Micron Technology
Descripción IC DRAM 16G PARALLEL 1333MHZ
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5223 pcs
Especificaciones MTA4ATF25664AZ-2G6B1.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página -
Suministro de voltaje 1.2V
Tecnología SDRAM - DDR4
Serie -
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 95°C (TC)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo de memoria Volatile
Tamaño de la memoria 16Gb (256M x 64)
Interfaz de memoria Parallel
Formato de memoria DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada SDRAM - DDR4 Memory IC 16Gb (256M x 64) Parallel 1333MHz
Frecuencia de reloj 1333MHz

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