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TC58BVG2S0HBAI4

Mfr# TC58BVG2S0HBAI4
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descripción IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Más información Lea más sobre Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HBAI4
Especificaciones TC58BVG2S0HBAI4.pdf

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Descripción

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Parámetro del producto

Número de pieza TC58BVG2S0HBAI4
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Descripción IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 9331 pcs
Especificaciones TC58BVG2S0HBAI4.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página 25ns
Suministro de voltaje 2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Paquete del dispositivo 63-TFBGA (9x11)
Serie Benand™
embalaje Tray
Paquete / Cubierta 63-VFBGA
Otros nombres ASTC58BVG2S0HBAI4
TC58BVG2S0HBAI4JDH
TC58BVG2S0HBAI4YCL
TC58BVG2S0HBAIJDH
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo de memoria Non-Volatile
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Interfaz de memoria Parallel
Formato de memoria FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11)
Tiempo de acceso 25ns

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