Mfr# | TC58BVG2S0HBAI4 |
---|---|
Mfr. | Toshiba Memory America, Inc. |
Descripción | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA |
Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
Más información | Lea más sobre Toshiba Memory America, Inc. TC58BVG2S0HBAI4 |
Especificaciones | TC58BVG2S0HBAI4.pdf |
---|
Número de pieza | TC58BVG2S0HBAI4 |
---|---|
Fabricante | Toshiba Memory America, Inc. |
Descripción | IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA |
Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
cantidad disponible | 9331 pcs |
Especificaciones | TC58BVG2S0HBAI4.pdf |
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página | 25ns |
Suministro de voltaje | 2.7 V ~ 3.6 V |
Tecnología | FLASH - NAND (SLC) |
Paquete del dispositivo | 63-TFBGA (9x11) |
Serie | Benand™ |
embalaje | Tray |
Paquete / Cubierta | 63-VFBGA |
Otros nombres | ASTC58BVG2S0HBAI4 TC58BVG2S0HBAI4JDH TC58BVG2S0HBAI4YCL TC58BVG2S0HBAIJDH |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 3 (168 Hours) |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Tamaño de la memoria | 4Gb (512M x 8) |
Interfaz de memoria | Parallel |
Formato de memoria | FLASH |
Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Descripción detallada | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) Parallel 25ns 63-TFBGA (9x11) |
Tiempo de acceso | 25ns |