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THGAF8G9T43BAIR

Mfr# THGAF8G9T43BAIR
Mfr. Toshiba Memory America, Inc.
Descripción IC FLASH 512G UFS 153VFBGA
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Más información Lea más sobre Toshiba Memory America, Inc. THGAF8G9T43BAIR
Especificaciones THGAF8G9T43BAIR.pdf

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Descripción

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Parámetro del producto

Número de pieza THGAF8G9T43BAIR
Fabricante Toshiba Memory America, Inc.
Descripción IC FLASH 512G UFS 153VFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 962 pcs
Especificaciones THGAF8G9T43BAIR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página -
Suministro de voltaje 2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología FLASH - NAND
Paquete del dispositivo 153-VFBGA (11.5x13)
Serie Consumer UFS
embalaje Tray
Paquete / Cubierta 153-VFBGA
Otros nombres THGAF8G9T43BAIRH2L
Temperatura de funcionamiento -25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 3 (168 Hours)
Tipo de memoria Non-Volatile
Tamaño de la memoria 512Gb (64G x 8)
Interfaz de memoria UFS
Formato de memoria FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada FLASH - NAND Memory IC 512Gb (64G x 8) UFS 153-VFBGA (11.5x13)

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